现任复旦大学工程与应用技术研究院特聘教授、博士生导师、上海碳化硅功率器件工程与技术研究中心主任、超越照明研究所副所长。1992年本科毕业于清华大学电子工程系;1997年硕士毕业于清华大学核能研究院;2001年博士毕业于美国南卡罗莱纳大学电子工程系。2001-2019年，在多家国际领先公司参与和领导所有碳化硅功率器件的研究和产业化;2017至2019年，在北卡州立大学任电力半导体器件主任，同时担任该校电子和计算机系客座教授。功率半导体器件创新和产业化是张教授的强项。

　　研究方向：

　　半导体物理与器件;宽带半导体器件物理、工艺、测试、产业化及应用;集成电路;电力系统

　　研究成果：

　　从事SiC器件的研发和产业化迄今22年。撰写过100余篇科技论文和SiC器件领域专著;多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告;作为第一和合作发明人，拥有100多项美国和国际专利;多次担任行业国际会议(ISPSD、ECCE、WiPDA，等)技术委员会成员和碳化硅器件分会主席;曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。

　　中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师，中国科学院大学聘任教授(2016-2018)，广东省“珠江人才”引进创新团队核心成员，东莞市天域半导体科技有限公司技术总监。1985年和1988年毕业于兰州大学物理系并分获理学学士和理学硕士学位，1994年毕业于中国科学院半导体研究所并获理学博士学位。1997-1998年在美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)物理系做博士后研究工作。主要从事第三代宽禁带SiC半导体外延材料生长、外延设备研发、特性表征、以及SiC功率器件和MEMS器件研制。在过去的10年里，作为广东省创新团队核心成员，主要致力于用于制造阻断电压在600伏到10千伏之间的单极和双极功率器件的SiC外延晶片的产业化。发表研究论文60余篇，获得国家专利40余项。

　　男，博士，研究员，现任北京天科合达半导体股份有限公司常务副总经理，江苏天科合达半导体有限公司总经理，中国科学院物理研究所企业研究生导师。长期从事第三代半导体碳化硅(SiC)单晶衬底制备相关技术研究和产业化开发工作。曾先后荣获/入选科技部“重点领域创新研究团队” (2014年)，北京市“科技新星”人才计划(2014年)，北京市海淀区“海英人才”(2014年)，省部级科技进步一等奖(2015年，排名2)，北京大兴区“新国门”科技创新领军人才(2020年)。先后主持和参与国家科技部科技支撑计划、高技术研究发展计划(863计划)、北京市科委等10余项科研项目。

　　基本半导体技术营销总监

　　毕业于华中科技大学，电力电子技术硕士。曾供职于艾默生网络能源有限公司，担任硬件工程师。之后加入国内知名代理商晶川电子，任技术支持总监。于2010年加入CONCEPT，被Power Integrations收购后任中国区IGBT驱动器产品线技术总监。2019年加入基本半导体。

　　荷兰代尔夫特理工大学博士，IEEE 高级会员，现任复旦大学工程与应用技术研究院研究员，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心电力电子实验室负责人。曾在 GE 全球研究中心工作 10 余年，担任主任研究员，获得“GE 个人技术卓越成就奖”、“GE 杰出专利发明金奖”等多项重要奖项，主持 10 多项碳化硅电力电子科研项目。研究领域主要集中在宽禁带功率半导体器件封装、驱动、高频高功率密度电力电子系统集成与产业化，发表 SCI、EI 论文 40 余篇，并获 IEEE最佳会议论文奖，受邀以第一报告人在 IEEE APEC、ECCE 等国际主流电力电子学术会议上作大会专题技术报告(Tutorial) 4 次。获得 40 余项国际、国内发明专利与申请，获得教育部留学基金委“国家优秀自费留学生奖学金”。