1200V/600A全SiC模块新品面市,世纪金光产品阵容再扩充

  2019年8月底,世纪金光半导体模块产品再添新成员,推出可满足大功率转换应用的1200V/600A全SiC模块新品。本产品通过全新的模块内部结构及散热设计,实现了600A额定电流,由此,在工业设备用大容量电源等更大功率产品中的应用成为可能。

  据介绍,本次推出的1200V全SiC模块系列产品,其电流分为600A和300A两个等级,导通电阻分别为2.2mΩ和4.7mΩ。产品拥有L封装(兼容Econo DUAL封装)和K封装(兼容标准62mm封装)两种半桥封装形式。与前期推出的分立器件产品一样,SiC模块MOS芯片采用可靠性较高平面栅工艺,SBD芯片采用第二代JBS工艺,既可有效降低损耗,还保障运行中的高可靠性。

  

QQ截图20191014164713.png


  该系列产品的推出,将满足功率转换应用(譬如电机驱动器、逆变器、DC/DC变换器等)对于高能效SiC解决方案不断快速增长的需求。

  4产品特点及优势

  由于宽禁带半导体材料特有的材料优势,SiC 器件漂移区的阻抗比Si器件低,因此不需要进行电导率调制就能够实现高耐压和低电阻。可采用不产生拖尾电流MOSFET技术,所以SiC‐MOSFET替代 IGBT 时,能够明显地减少开关损耗,并且实现散热部件的小型化。SiC‐MOSFET能够更高频条件下驱动,从而实现被动器件的小型化。同时,与之配对的SiC SBD技术,无少子存储效应,可实现快速、稳定的恢复特性。

  

1571043789105939.png


  Cengol全碳化硅功率模块与同规格的IGBT模块开关损耗对比

  (损耗数据来源业内最常用的一款IGBT模块数据手册)

  备注:以上数据仅表示CENGOL的评估结果,仅供参考。此处的任何特性并非CENGOL的保证值。另,针对600A下SiC模块的损耗,我们按照“在大电流下损耗同电流是近似线性关系”这一规律,折算出600A条件下SiC的损耗数据。

  4目标电路示意

  

image.png


  4新品阵容

  世纪金光作为一家从设计研发到封装测试为一体的第三代半导体IDM企业,其产品阵容囊括具有自主知识产权的6英寸碳化硅单晶片、wafer、多种规格及封装形式的碳化硅SBD、MOSFET以及碳化硅功率模块等一系列碳化硅全产业链产品。此次新品的推出,将进一步完善世纪金光模块产品在大电流中的选型应用。

  保持一贯的严谨细致的作风,世纪金光新品均经过严格的测评,可针对不同行业用户提供选型送样验证服务,欢迎咨询。

  全碳化硅功率模块:

  

image.png


相关文章