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台积电开始试产16nm FinFET Plus,性能比16nm FinFE高15%

www.p-e-china.com 2014-11-26 9:00:01 来源:中国电力电子产业网 在线投稿 电力电子论坛

  台积电(TSMC)公司于2014年11月12日宣布,16nm FinFET Plus(16FF+)工艺已进入试产阶段。16FF+是台积电16FF工艺的增强版,性能提高了15%。

  16FF是从2013年11月开始试产的。16FF+并非16FF的替代工艺,两种工艺都将受理量产订单。关于16FF+的性能,台积电介绍称,与平面型最终工艺20nm工艺(20SoC)相比,速度提高40%,相同速度下的功耗降低50%。

  另外,采用16FF+工艺后,“ARM Cortex-A57”处理器的工作频率可达到2.3GH*********,“ARM Cortex-A53”处理器的功耗降到了75mW。这样便可实现达到平衡状态的big LITTLE构成。支持16FF+的EDA工具及知识产权核(IP core)目前已有很多,设计环境完备。其中,通过硅验证的知识产权核有百种以上。

  按照计划,16FF+工艺将在2014年11月完成可靠性验证,2015年底之前完成近60件产品设计方案。通过成品率和性能的迅速改善,台积电的16FF+工艺有望在2015年7月进入正式量产。

  在此次发布资料中,多家半导体厂商对台积电启动16FF+工艺的试产表示欢迎,这些厂商是:安华高科技(Avago Technologies)、飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)、LG电子(LG Electronics)、联发科(MediaTek)、英伟达(NVIDIA)、瑞萨电子(Renesas Electronics)、赛灵思(Xilinx)。

 

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