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澳大利亚官产学合作研发基于SiC-on-Si的常闭型氮化镓高电子迁移率晶体管

www.p-e-china.com 2017/9/5 11:10:12 来源:大国重器 电力电子论坛|免费发布产品

  澳大利亚BluGlass公司与澳大利亚格里菲斯大学合作,共同开展一项为期2年、总投入60万美元的项目,研发高性能常闭型氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),具有正向和稳定阈值电压、低导通电阻和高击穿电场等优势。项目投资中的30万美元来自独立、非盈利的创新制造合作研发中心(IMCRC)。

 

  项目目标

  BluGlass的总经理Giles Bourne说:“电子制造商面临高性能材料的高成本障碍,该研究项目目标是克服这些产业挑战。硅是极其廉价的,因此尽管GaN等材料具有卓越性能优势,通常也难以取代硅……”

  优势组合

  项目将组合BluGlass公司的低温远程等离子体化学气相淀积(RPCVD)技术和格里菲斯大学昆士兰微技术设施(QMF)的原子级光滑的硅基碳化硅(SiC-on-Si)晶圆技术。

  在整个项目中,BluGlass将与格里菲斯大学的QMF密切合作,使用后者的制造和测试设备、基础设施、器件知识和资源来研发和优化HEMT器件。

  RPCVD

  RPCVD工作温度比现有产业所用技术低几百度,为电子制造商提供了多项优势,包括更高性能、更低生产成本和在硅等低成本衬底上淀积的能力。该制造自动防止故障、常闭型器件的能力对于GaN晶体管被广泛采纳至关重要。

  原子级光滑SiC-on-Si

  QMF是格里菲斯大学微纳技术中心的一部分,其原子级光滑SiC-on-Si为氮层的外延生长提供了化学屏障和模板,有助于解决缺陷和长期器件可靠性的挑战。

  意义和影响

  该项目有望产生高价值IP和代工厂技术,将带来新一代本土半导体晶圆经济。IMCRC总经理兼CEO David Chuter表示:“解决产业挑战和赋予重要支撑技术,我们相信该项目将不仅该地区的商业价值,在澳大利亚和全球价值链上产生新的机会。”

  Bourne表示,“我们独特的p-GaN栅低温淀积技术是实现高性能常闭型器件所需要的,这有重要的商业影响,不仅仅是对BluGlass,也是对澳大利亚的功率电子产业。”

  格里菲斯大学副校长Ned Pankhurst表示,此次合作突出了高校在通过产业合作来推进技术方面的贡献。

  IMCRC

  IMCRC是2017年8月成立,将与制造业、研究机构、产业联盟和政府展开密切合作,将帮助制造商发现新兴投资机会,投资支持创新的合作来保证澳大利亚产业能够满足全球经济的挑战和机会,负责建造产业网络,并直接加入制造商中以提供创新业务的本地发力点,还将负责支持中小型制造企业来制定通过新模型和全球供应链进入新市场的投资决策。

 

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