官方微信公众号 | 企业新闻 | 今日热点 | 技术文库| 解决方案| 政策法规| 商贸网 广告服务||登陆|注册 |B2B|电力电子论坛  
中国电力电子行业门户-中国电力电子产业网
当前位置:中国电力电子产业网 > 热点导读 > 沧州高新区总投资14亿元建宽禁带化合物半导体芯片生产基地

沧州高新区总投资14亿元建宽禁带化合物半导体芯片生产基地

www.p-e-china.com 2017/10/12 10:30:05 来源:本站 电力电子论坛|免费发布产品

  日前,沧州市高新区与科光控股有限公司签订合作协议,双方将在高新区建设宽禁带化合物半导体芯片生产基地。

  科光控股有限公司由加拿大Crosslight公司与香港志擎基金公司共同组建。沧州生产基地是加拿大Crosslight公司在中国投资的第一家全链条芯片生产项目,将采用宽禁带化合物半导体生产技术。这一技术相对于传统半导体,具有速度更快、功耗更低、抗辐射更强、应用范围更广等优点。

  产品将面向新一代5G、6G通信,并广泛应用于手机3D镜头、机器人激光雷达、激光电视等领域。项目总投资2.16亿美元(折合人民币约14亿元),建设期限为24个月。

 

填写您的邮件地址,订阅我们的精彩内容:

关注“电力电子网微信公众号”免费获得3000G资料.资料涵盖:电力电子,电工电气等领域的资料!
  添加方式:
1、手机扫描左侧二维码
2、添加朋友,搜微信号:pedianlidianzi
有事先发邮件,我会及时与您联系,谢谢合作。   网站电子邮箱:: 2212348358@qq.com
电力电子 | 关于我们 | 软文广告刊登 | 合作伙伴 | 帮助中心 | 广告服务 | 网站地图 | 客服中心 | 联系我们

广告合作∶010-82967069  Email∶ 13653149263@163.com  展会联系∶15901066028   电力电子技术群:89732570   Copyright2011  http://www.p-e-china.com / All Rights Reserved    电力电子技术千人大群1群:62874691 (未满)  电力电子技术千人大群2 群:279588364  
  版权所有∶中国电力电子产业网(www.p-e-china.com) 经营许可证编号∶ 京ICP备11012668号-1  京公网安备 11010802009741 号   
网站服务|广告服务|文章投稿|友情链接QQ: 2212348358