官方微信公众号 | 企业新闻 | 今日热点 | 技术文库| 解决方案| 政策法规| 商贸网 广告服务||登陆|注册 |B2B|电力电子论坛  
中国电力电子行业门户-中国电力电子产业网
当前位置:中国电力电子产业网 > 热点导读 > 我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展

我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展

www.p-e-china.com 2018/5/8 11:16:02 来源:互联网 电力电子论坛|免费发布产品

  SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度,可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量,满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求,被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。但长期以来,我国SiC器件的研制生产主要依赖进口。SiC器件关键装备的成功研发对加快解决全产业链的自主保障、降低生产线建设与运营成本、促进产业技术进步和快速发展壮大等方面具有重大的推动作用。

  在国家863计划支持下,经过中国电子科技集团公司第四十八研究所为牵头单位的课题组不懈努力,成功研制出适用于4-6英寸SiC材料及器件制造的高温高能离子注入机、单晶生长炉、外延生长炉等关键装备并实现初步应用。该课题近期通过科技部验收,研究成果有力保障了我国SiC电力电子器件产业“材料—装备—器件”自主可控发展。

  课题开发的SiC高温高能离子注入机、SiC 外延生长炉均为首台国产SiC器件制造关键装备,可满足铝离子注入最高能量达到700KeV,注入均匀性达到1%以内;SiC外延最高温度达到1700℃,生长均匀性达到3%以内。上述主要技术指标均已达到国际同期水平。同时,设备的销售价格可控制在同类进口设备的2/3以下,有力支撑了国内SiC器件的研制生产。在中国电科13所、55所、泰科天润等十余家公司进行的器件制造工艺验证和生产数据表明,采用国产装备制造的SiC器件产品性能和良率已接近进口水平,器件成品率在90%以上。在全面完成课题任务基础上,课题组紧抓未来市场契机,还开展了大尺寸SiC栅氧生长、高温激活、刻蚀、减薄、切割、磨抛等关键工艺装备与工艺整合研究,为SiC器件制造整线装备的国产化打下了坚实基础。

 

填写您的邮件地址,订阅我们的精彩内容:

关注“电力电子网微信公众号”免费获得3000G资料.资料涵盖:电力电子,电工电气等领域的资料!
  添加方式:
1、手机扫描左侧二维码
2、添加朋友,搜微信号:pedianlidianzi
有事先发邮件,我会及时与您联系,谢谢合作。   网站电子邮箱:: 2212348358@qq.com
电力电子 | 关于我们 | 软文广告刊登 | 合作伙伴 | 帮助中心 | 广告服务 | 网站地图 | 客服中心 | 联系我们

广告合作∶010-82967069  Email∶ 13653149263@163.com  展会联系∶15901066028   电力电子技术群:89732570   Copyright2011  http://www.p-e-china.com / All Rights Reserved    电力电子技术千人大群1群:62874691 (未满)  电力电子技术千人大群2 群:279588364  
  版权所有∶中国电力电子产业网(www.p-e-china.com) 经营许可证编号∶ 京ICP备11012668号-1  京公网安备 11010802009741 号   
网站服务|广告服务|文章投稿|友情链接QQ: 2212348358