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Transphorm的新第三代GaN功率转换平台提高了抗噪声能力并降低了开关噪音

www.p-e-china.com 2018/6/14 11:12:55 来源:今日半导体 电力电子论坛|免费发布产品

  Goleta的Transphorm公司位于美国加利福尼亚州圣巴巴拉市附近,该公司设计和制造JEDEC和AEC-Q101合格的高压(HV)氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),用于高压电源转换应用 - 宣布推出其第三代(第三代)650V GaN FET。该公司称,基于Gen III技术的功率晶体管产生较低的电磁干扰(EMI),提高了栅极抗噪声能力,并在电路应用中具有更大的余量。

  该平台的最新发展源自与客户合作开发的即将投入生产或即将发布的最终产品设计。发布的Gen III器件包括TP65H050WS50mΩFET和TP65H035WS35mΩFET,均采用标准TO-247封装,价格分别为8.86美元和11.55美元(1000个单位)。根据设计标准,最佳输出额定值为1.5-5.0kW应用。市场包括广泛的工业应用,数据中心,商业电源和可再生能源。

  Transphorm表示,由于它可以控制FET开发的每个关键阶段,因此在客户开发项目以及Gen I和Gen II平台上获得的洞察力可以应用于GaN on-Si技术,以提高晶体管的质量和可靠性和性能。通常还会收集数据,这些数据还可以通过开发技术来简化设计复杂性,提高安全裕度和/或对电力系统性能产生积极影响。

  Transphorm说,导致Gen III的研究带来了两个机会:GaN技术本身固有的益处增加,新的设计方法增强了FET的性能。此外,设计和制造创新使其能够降低设备价格。

  此外,新型MOSFET与其他设计修改的结合使Gen III器件能够提供:

  Gen II的阈值电压(噪声抗扰度)从2.1V提高到4V,无需使用负栅极驱动器; 和

  栅极可靠性评级为±20V; 比第二代增加11%。

  因此,开关更安静,并且平台通过简单的外部电路在更高的电流水平下提供性能改进,Transphorm说。

  关于学习的设计技术,Transphorm在其应用笔记0009:Transphorm GaN FET的推荐外部电路中发布了振荡抑制解决方案。示例建议包括使用直流链路RC缓冲器和开关节点RC缓冲器,这些增加了稳定性,而不会对效率产生不利影响。值得注意的是,这些解决方案可以使半桥和无桥图腾柱PFC拓扑受益。

  技术营销副总裁Philip Zuk表示:“根据客户需求和实际经验发展我们的氮化镓技术非常重要。“我们的第三代场效应管符合我们坚持这一基本理念的可能性,”他补充道。

  “我们已经提出了一种更安全,更具成本效益的高电压GaN FET,”工程高级副总裁Yifeng Wu博士说。“他相信,”这些晶体管将被客户视为新型功率半导体提供无可比拟的效率,高功率处理能力和其他性能优势,易于使用。“

 

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