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宽禁带|电力美国创新中心资助6个新项目推动美国宽禁带技术发展

www.p-e-china.com 2018/8/13 15:59:59 来源:大国重器 电力电子论坛|免费发布产品

  作为美国制造业创新中心之一的电力美国(PowerAmerica)为6个新的项目提供支持,这些项目旨在加强美国的宽禁带(WBG)技术。此外,PowerAmerica还为现有成员领导的20个项目提供了支持,为该周期提供总计2000万美元的项目资金。

  PowerAmerica的副执行董事兼首席技术官Victor Veliadis表示:“这些项目有助于PowerAmerica实现加速将宽禁带技术应用于电力电子系统的使命,到目前为止,该创新中心已资助了大量项目,这些项目有助于开发更高效的功率电子产品,这将有利于实现从电动汽车到数据中心等一系列应用。”

  六个新项目承研单位及项目内容分别如下:

  模块开发和制造

  项目一:先进可靠的WBG功率模块的设计和制造

  美国通用电气(GE)航空系统公司和美国能源部国家可再生能源实验室(NREL)将共同设计和生产由碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)制成的先进宽禁带功率模块。项目目标是实现真正的发动机冷却液温度等级装备,这些装备需要支持下一代国防系统以及商业运输、风力发电和天阳能发电,同时降低整体系统成本。

  商业化应用

  项目二:用于直接48V至低于1V PoL DC-DC模块的双电感混合转换器

  科罗拉多大学博尔德分校的一个团队将设计并实施一种基于GaN的新型转换器,其密度是目前市场上转换器密度的10倍,功率损耗最多可降低3倍。该转换器将具有更少的组件,可更简单的实现,成本更低。它可用于向数据中心、蜂窝基站、便携式应用和国防系统供电。

  项目三:用于中压级固态电路断路的WBG器件

  北卡罗莱纳大学夏洛特分校(UNCC)的一个团队将测试中压(3.3kV)SiC固态断路器的功能原型。碳化硅的使用将实现微秒级或更好的快速关断能力,并且与硅相比具有更高的效率。目标细分市场包括配电网络的公用事业运营商。

  项目四:600V GaN双栅极双向开关

  英飞凌公司将开发基于其CoolGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)技术的低成本600V双向70mOhm开关,充分利用GaN HEMT的独特双向特性。该项目将验证双栅极概念和一种衬底电压稳定的解决方案,并将使GaN开关与目前常用的标准硅器件相比更具经济吸引力。

  教育和人力发展

  项目五:研究生宽禁带半导体功率器件实验室

  北卡罗来纳州立大学(NCSU)的一个团队将建立一个完全专注于宽禁带功率器件的设计、制造和表征的研究生实验室课程,并向PowerAmerica成员传播课程以加速新工程师的教育。

  项目六:加入WBG半导体开关和电路的电力电子教学实验室

  北卡罗来纳大学夏洛特分校(UNCC)的研究人员将开发具有即插即用功能的模块化、多功能、教育性高频功率电子板。新电路板将为学生提供灵活性,可以执行不同的功率电子实验室课程,并通过积累WBG半导体在电力电子应用方面的实践经验和实践知识,培训本科学生成为宽禁带电力电子工程师。

  电力美国创新中心简介

  2014年11月,下一代电力电子制造创新中心成立,由美国能源部支持,于2015年开放设施,随后更名为电力美国(PowerAmerica),中心位于北卡罗莱纳州立大学(NCSU),致力于推进以氮化镓和碳化硅为基础的宽禁带半导体电力电子器件。该中心由美国能源部、行业合作伙伴和北卡罗来纳州共同出资成立,并拥有超过45家领先的宽禁带半导体领域公司成员组合。

  来源:大国重器

 

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