近年来，随着有关方面不断加大封锁力度，中国半导体产业逐渐意识到在技术水平上与国外之间的巨大差距。

尽管我国已经在尽全力追赶海外，并且试图从材料、光源等方面弯道超车，但在明显差距面前，国产还是慢人一步。

7月27日多方媒体消息，意法半导体中国的官方微信宣布：意法半导体瑞典北雪平工厂成功制造出首批8英寸（200mm）碳化硅晶圆片。

众所周知，现阶段传统硅基晶圆是市场主流，但随着工艺制程的不断微缩，摩尔定律即将面临物理极限，各大企业以及科研团队开始从材料方面下功夫。

碳基晶圆被业界认为是下一代主流芯片原料，而碳化硅则属于第三代半导体材料的典型代表。

作为一种宽禁带化合物半导体材料，碳化硅的优点非常明显。

根据资料显示，碳化硅具备禁带宽度宽、耐高温、耐高压、大功率以及抗辐射等特制。而且在开关速度以及效率方面也有着明显优势，能够起到大幅度降低产品功耗、减小产品体积的作用。

得益于此，碳化硅半导体器件可以被广泛应用于高压输变电、轨道交通、通讯基站等重要领域。

不过，这类材料并非完美无缺，碳化硅有诸多优点，也有着明显的缺陷。

据笔者了解，碳化硅不同于传统硅材料，其生长效率非常低，而且生长出来的体积相对较小。

在一般情况下，碳化硅材料只能制备出100mm或150mm的晶圆。

此外，碳化硅的硬度非常高，即便与金刚石相比，这类材料的莫氏硬度也只低0.5左右。正所谓刚过易折，硬度如此高的碳化硅非常脆，导致制备损耗非常高，良率很低。

在2021产业和技术展望研讨会上，英飞凌电源与传感系统事业部市场总监程文涛曾表示：“碳化硅材料的加工门槛非常高，因此目前这个行业主要的碳化硅厂商，都是一些IDM厂商。”

例如Cree和美国的II-VI公司，这两大巨头占据了全球75%以上的市场。故而，意法半导体成功制造出首批200mm碳化硅晶圆片的消息，令整个业界都为之震惊。

由此可见，欧美国家的企业已经进入下一阶段，在海外愈发密不透风的封锁下，我国需要付出更大的努力才能够追上并超越。