近日，北方华创微电子参加了“中国第三代半导体产业技术创新战略联盟”(CASA)主办的一系列在线论坛活动，吸引了两千余名产业链上下游相关人士及行业专家通过网络研讨交流。

　　  北方华创第一刻蚀事业部张轶铭博士发表了题为《面向化合物半导体芯片的刻蚀装备》的报告，重点介绍了北方华创在化合物半导体芯片产业的特色刻蚀装备与工艺解决方案。

　　  北方华创GDE C200刻蚀机通过独特的腔室设计与工艺开发，展现出优异的 SiC背孔/SiC trench刻蚀的量产性能，具有刻蚀速率快、MTBC长、Pillar缺陷少、Wafer表面温度低、均匀性好、选择比高、工艺窗口宽等一系列优点，完美适用于GaN-on-SiC RF、SiC功率等器件的量产。

　　  北方华创另一款产品GSE C200刻蚀机已服务于多个著名Foundry/IDM工厂，它拥有超强的工艺兼容性，适用于GaN/SiNx低损伤刻蚀 、GaAs背孔/Mesa刻蚀、InP Wave-guide/Grating刻蚀等刻蚀工艺，在GaN功率、GaAs RF/VCSEL、InP、FBAR/SAW/BAW滤波器等器件的生产方面，为客户展示了十分稳定的量产能力。

　　  此外，北方华创在深硅刻蚀工艺上也获得了海外市场的认可，型号为HSE系列的等离子刻蚀机具备高等离子密度，可达成高速、高深宽比、高均匀性刻蚀，目前该设备已全面服务于深硅刻蚀量产工艺。

　　  随着万物智联、AIoT、大数据、云计算、汽车电子、VR/AR等领域的迅速发展，化合物半导体芯片相关产业将迎来大幅度增长。北方华创积极面向科技前沿，不断研发新兴材料的芯片制造装备与工艺技术，以满足不同行业与客户的新需求。北方华创将继续秉承以客户为导向的持续创新，与客户携手并进，共同开拓产业发展的新蓝图!