2019年12月25日，东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。

　　

　　MOSFET产品图

　　新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance(WF)封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗;XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。

　　应用：

　　汽车设备

　　电源装置(DC-DC转换器)和LED头灯等(电机驱动、开关稳压器和负载开关)

　　特性：

　　东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance(WF)封装

　　通过AEC-Q101认证

　　低导通电阻：

　　RDS(ON)=4.1m?(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)

　　RDS(ON)=6.3m?(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)

　　采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance(WF)封装

　　主要规格：

　　(除非另有说明，@Ta=25°C)

　　

　　注释：

　　[1] 截至2019年12月25日

　　[2] 在同样规格的产品中，截至2019年12月25日。东芝调查。

　　*公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。