公司介绍：

　　深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，在深圳南山、深圳坪山、南京浦口、瑞典斯德哥尔摩、日本名古屋设有研发中心。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员由剑桥大学、瑞典皇家理工学院、清华大学等知名高校博士组成。

　　基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等产业全链条，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、首款国产通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平，应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制、国防军工等领域。

　　基本半导体先后参与发起“广东省未来通信高端器件创新中心”、“深圳第三代半导体研究院”，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心，产品荣获“中国芯”优秀技术创新产品奖、中国创新创业大赛专业赛一等奖等荣誉。

　　主营产品介绍：

　　碳化硅肖特基二极管：

　　基本半导体自主研发650V/2A~40A、1200V/2A~50A全电流电压等级碳化硅肖特基二极管。该系列产品具有反向漏电流低、正向导通压降低、抗浪涌电流能力高、无反向恢复现象等特点，性能达到行业先进水平。

　　碳化硅MOSFET：

　　基本半导体自主研发的1200V 碳化硅MOSFET具有导通电阻低、温度特性优良和开启电压高等特点。其中TO-247-4封装碳化硅MOSFET采用辅助源极连接方式，可显著提升器件的开关性能，减少开通损耗(Eon)和关断损耗(Eoff)，并使门极波形得到较大改善。

　　车规级全碳化硅功率模块：

　　基本半导体为新能源汽车主逆变器应用推出车规级全碳化硅功率模块(BMB200120P1)。该模块采用业内主流的单面水冷散热形式，为高效电机控制器设计提供便利。单模块采用半桥拓扑结构，内部集成两单元1200V/200A 碳化硅MOSFET和碳化硅续流二极管。BMB200120P1采用基本半导体最新的碳化硅 MOSFET 设计生产工艺，在栅极电输入电容、内部寄生电感、热阻等多项参数上达到业内领先水平。

　　产品展示：

　　联系方式：

　　电话：0755-22670439

　　邮箱：info@basicsemi.com