碳化硅半导体表界面缺陷与功率器件可靠性高级研修班
2025年9月19日 中国·重庆
碳化硅（SiC）半导体的表界面缺陷是影响功率器件可靠性的关键因素，其研究涉及材料科学、工艺优化及可靠性测试等多个领域。为此中国电力电子产业网、芯媒学院联合举办2025碳化硅半导体表界面缺陷与功率器件可靠性高级研修班，旨在通过此次研修班更好的为学员了解碳化硅表界面缺陷通过影响栅氧可靠性、外延层质量及封装稳定性，显著制约功率器件的性能与寿命。通过界面钝化、外延工艺优化及严格的可靠性测试，可有效提升器件稳定性。未来需进一步结合原位表征与多尺度模拟，探索碳缺陷的动力学行为，推动高性能 SiC 器件的工业化应用。
中国电力电子产业网
芯媒学院
王德君，大连理工大学 教授
陈媛，工业和信息化部电子第五研究所 学术首席
主要内容：
上午
授课讲师：王德君 老师 陈媛 老师
09:00-12:00，180min，10:50-11:00休息
内容1：功率器件知识体系架构（20min）
王德君 老师
内容2：SiC功率器件基本原理 王德君 老师
半导体器件缺陷测试方法学（90min）上
王德君 老师
SiC MOSFET可靠性 （60min）陈媛 老师
下午
授课讲师：王德君 老师 陈媛 老师
13:30-17:30，240min，15:10-15:20休息
半导体器件缺陷测试方法学（60min）下
王德君 老师
鲁棒性与失效机理 （60min）
陈媛 老师
赞助演讲报告 （30min）
表界面缺陷与可靠性测试实践（60min）
王德君 老师
赞助演讲报告 （30min）
2025年9月19日 重庆
培训费：1000元/人
60人满开班
以缴费完成报名成功
按照报名顺序安排座位
（仅含培训班期间午餐及培训，不含住宿费）
收款单位：隆化县芯连芯信息咨询服务中心(个体工商户)：
开户帐号：101222337298；
开户行：中国银行股份有限公司隆化支行
联系人：郝老师
电话：13520307378 微信同号
邮箱：pechina@vip.126.com
