众所周知，英飞凌拥有备受市场肯定及适合电磁炉应用的谐振切换IGBT技术。SITRI将要为大家介绍的就是经过进一步优化，切换和导通损耗更低的第三代RC-IGBT产品-IHW20N120R3。相比第二代RC-IGBT，第三代RC-IGBT能降低20%的切换损耗，进而能减少装置热应力，延长产品使用寿命并提高可靠性。

　　封装平面：

　　英飞凌的IHW20N120R3采用了PG-TO247的封装形式，封装尺寸为20.68 mm X 15.85 mm X 5.04 mm。

　　封装X-Ray：

　　芯片基本信息：

　　下图为这颗IGBT芯片的OM正面照，芯片尺寸为4.19 mm X 4.19 mm。

　　芯片Die Corner如下图所示。

　　下图是芯片表面连接Gate Poly的PAD，其中直角边的长宽尺寸为623 um X 623 um。

　　芯片去层到Poly平面分析：

　　除常规芯片顶层样张拍摄外，SITRI也对这颗芯片做了去层分析。下图第一张彩图是去层到Poly的OM平面照片，第二张黑白图是去层到Poly的SEM平面照片，可以清楚的看出每一个重复cell以及cell里的Contact和Trench的平面形貌。

　　芯片纵向分析：

　　从纵向分析图来看，这颗芯片总厚度约为122 um。有一层金属和一层钝化层。对于具体的纵向分析以及各种线宽尺寸请见SITRI的IHW20N120R3的工艺分析报告，在这里就不做赘述。

　　芯片纵向染色分析(Cell和Guard Ring)：

　　对于IGBT的工艺分析，怎么能少了纵向染色，这里就截取了SITRI对这颗芯片的工艺分析报告中Cell区域和GuardRing区域的纵向染色分析，各有一张，见下图。具体掺杂的深度和尺寸，请详见SITRI报告。

　　芯片背金纵向材料分析：

　　背金也是IGBT芯片当中一项重要的工艺，下面是这颗芯片的背金材料分析图。

　　总结：

　　以上是对于IHW20N120R3的深度解析，最后奉上这颗芯片的基本信息汇总。另有芯片背面平面掺杂信息和具体的平面纵向尺寸信息请见SITRI的IHW20N120R3的工艺分析报告。