三菱电机开始发售“X系列LV100封装HVIGBT模块”

# 新闻 2017-05-18 10:32 来源：中国电力电子产业网

实现业内最大电流密度，有助于实现逆变器的大功率·高效率

开始发售“X系列LV100封装HVIGBT模块”

三菱电机株式会社将从9月开始、依次发售2款“X系列LV100封装HVIGBT^※¹模块”，作为面向电气化铁路、电力等大型工业机器的大容量功率半导体模块的新产品。该模块实现业内最大电流密度^※2今后，计划还将使用性能超过Si（硅片）更具低损耗化与高频动作可能性的SiC^{^※³}制成LV100封装产品，以充实产品阵容，有助于实现逆变器的输出功率和效率；并且采用全新封装结构，利于并联应用，实现灵活配置，并提高系统可靠性。

本产品将在 “PCIM Europe 2017”（5月16-18日于德国纽伦堡举行）以及“PCIM Asia 2017”（6月27-29日于中国上海举行）上展出。

※1　High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor：高压绝缘栅型双极晶体管

※2　截至2017年5月11日，根据本公司的调查

※3　Silicon Carbide：碳化硅

X系列LV100封装HVIGBT模块

新产品的特点

1．实现业内最大的电流密度，有助于实现逆变器的大功率和高效率

・采用三菱电机CSTBT^TM^※^４结构的第7代IGBT和RFC二极管^※^５硅片技术，作为Si模块实现了业内最大^※²的电流密度，高达8.57A/cm²＜3.3kV/600A＞

・AC输出主端子增加至3个，分散输出电流，缓解主端子的发热状况，实现在大电流工况下可靠运行。

※4　载流子存储式沟槽栅型双极晶体管

※5　Relaxed Field of Cathode Diode：本公司独有二极管，提高了阴极侧电子迁移率

2．便于并联应用，有效支持各个功率段的逆变器

・通过优化端子布局，方便并联应用，有效支持各个功率段的逆变器

3．通过全新封装结构，有助于实现逆变器系统的高度可靠性

・通过绝缘板与散热板的一体化设计，改善热循环寿命^※⁶与功率半导体芯片的散热性，由此实现功率循环寿命^※⁷的提高，并有助于实现高度可靠性

※6　因相对较长时间的温度循环令外壳温度发生变化时的寿命

※7　因相对较短时间的温度循环令芯片温度发生变化时的寿命

发售概要

产品名	型号	额定电压	额定电流	发售日期
X系列LV100封装 HVIGBT模块	CM450DA-66X	3.3kV	450A	自9月起陆续提供
X系列LV100封装 HVIGBT模块	CM600DA-66X	3.3kV	600A	自9月起陆续提供

销售目标

面向大型工业设备的功率半导体模块，主要用于铁路列车的的驱动系统、电力传输系统和大型工业机械使用的变流器。近年来，公众在节能环保等方面的意识日益增强，因此有助于逆变器实现更高功率、更高效率、更高可靠性及能支持各种逆变器的输出容量的各类产品需求强劲。

本公司此次为响应此类需求，将上市实现电流高密度化并采用全新封装结构的“X系列LV100封装HVIGBT模块”的2款新产品（3.3kV/450A・600A）。此外，预定今后还将推出使用SiC制造的LV100封装产品，以充实产品阵容。

主要规格

封装	型号	额定电压	额定电流	绝缘耐压	結線	封装尺寸
LV100 封装	CM450DA-66X	3.3kV	450A	6kV rms	2in1	100×140×40mm³
LV100 封装	CM600DA-66X	3.3kV	600A	6kV rms	2in1	100×140×40mm³
标准（std）封装	CM1200HC-66X	3.3kV	1200A	6kV rms	1in1	140×130×38mm³
	CM1800HC-66X	3.3kV	1800A			140×190×38mm³
	CM1500HC-90XA	4.5kV	1500A			140×190×38mm³
	CM900HG-90X	4.5kV	900A	10kV rms		140×130×48mm³
	CM600HG-130X	6.5kV	600A			140×130×48mm³
	CM1800HG-66X	3.3kV	1800A			140×190×48mm³
	CM1350HG-90X	4.5kV	1350A
	CM900HG-130X	6.5kV	900A
	CM1000HG-130XA	6.5kV	1000A

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