位于纽约州立大学理工学院(SUNY Poly)奥尔巴尼纳米技术研究中心的美国功率电子制造协会(NY-PEMC)使用SUNY Poly的150mm碳化硅(SiC)工艺线，制造出其首片SiC基图形化晶圆，如图1所示。SUNY Poly的150mm SiC工艺线据其表示是美国首个致力于SiC晶圆平台的生产线，如图2所示。

　　图1 NY-PEMC的首片图形化SiC晶圆

　　图2 NY-PEMC的150mm SiC生产线

　　意义

　　此次获得的里程碑是SUNY Poly的SiC工艺线获得为功率电子应用生产金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)资格的第一步。SiC基芯片通过使功率器件更小、更快和更高效来提供下一代能力，破除现有硅器件面临的物理极限。特别是，SiC基功率器件具有能够处理比硅器件更高频率和温度的能力，因此可减少原本必需的滤波和冷却系统的体积和成本。而且，SiC器件的体积只是相同硅器件的一半，并增加功率密度和可靠性。随着性能的提升，SiC基电子器件能够提升一系列应用，如汽车、洁净能源和航空产业等。

　　评价

　　SUNY Poly的代校长Bahgat Sammakia博士说：“美国功率电子制造协会由SUNY Poly领导，与纽约州政府及成立成员之一的通用电气(GE)合作成立，是功率电子产业能快速靠近的制造能力。我们寻求与GE、纽约州政府、纽约州经济发展厅的持续合作，SUNY Poly在其奥尔巴尼校区提供SiC晶圆制造能力，在尤蒂卡校区提供完整的封装能力，以此为高新技术的研究、发展和应用提供独特的协同。”

　　纽约州经济发展部主席、首席执行官和理事Howard Zemsky说：“这是一个重要的里程碑，使得NY-PEMC离批量生产更进一步。通过充分利用州人才和我们世界级研发中心，该公私合作将进一步巩固上纽约州作为研发和制造下一代芯片技术中心的地位。”

　　GE全球研发的副总裁和Niskayuna现场主管Danielle Merfeld说：“得益于SiC基晶圆制造线持续推进其制造能力，包括该制造里程碑的取得，通用电子更看重与SUNY Poly和纽约州通力合作。通过功率电子制造协会，我们有机会使纽约州首都圈、尤蒂卡和上纽约州成为所有类型电子机械和电子系统的下一代功效创新中心。”

　　功率电子制造协会的负责人和SUNY Poly的副校长Jeffrey Hedrick博士说：“开始首个批量生产和首个图形化晶圆这两个目标现都已取得，意味着PEMC和其SiC基晶圆制造的强有力开端。我们寻求更多的技术成就， NY-PEMC将进一步研发先进SiC基的能力。”

　　功率电子制造协会

　　NY-PEMC成立于2014年年中，是由SUNY Ploy和GE领导的公私合作组织，目标是研发和制造低成本、高性能150毫米SiC晶圆，产品研发能力如图3所示。SUNY Poly的150毫米SiC生产线位于奥尔巴尼纳米技术中心，并与位于其尤蒂卡校区的SUNY Poly的计算机芯片商业化中心(Quad-C)配合，后者提供SiC功率芯片的封装。

　　图3 NY-PEMC产品研发能力

　　来源：大国重器