答：
SiC是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，作为Si和GaAs的重要补充，可制作出性能更加优异的高温(300～500℃)、高耐压、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。
例如：碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍
碳化硅肖特基管耐压可达2400V。
碳化硅场效应管耐压可达数万伏，而通态电阻并不很大。
已用SiC材料制作出普通晶闸管、双极晶体管(BJT)、IGBT、功率MOSFET、PN结二极管(300K温度下耐压达4 5kV)和肖特基势垒二极管(300K温度下耐压达1kV)。广泛运用于火车机头、有轨电车、工业发电机和高压输电变电装置中。SiC高功率、高压器件对于公电输运和电动汽车的节能具有重要意义。所以碳化硅器件大有用武之地，可以使电力半导体器件应用可靠性大大提高。
